iGBT в Хабаровске
Из википедии:
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, англ. Insulated-gate bipolar transistor, IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Каскадное включение транзисторов двух типов позволяет сочетать их достоинства в одном приборе: выходные характеристики биполярного (большое допустимое рабочее напряжение и сопротивление открытого канала пропорционально току, а не квадрату тока, как у полевых) и входные характеристики полевого (минимальные затраты на управление). Управляющий электрод называется затвором, как у полевого транзистора, два других электрода — эмиттером и коллектором, как у биполярного.
Основные параметры IGBT транзисторов для подбора аналогов:
Vces - максимальное напряжение коллектор-эмиттер
Vce(sat) - напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Ic максимальный постоянный ток коллектора ( при Т = 25°)
Icp -Максимальный импульсный ток коллектора
VGE - Максимальное напряжение затвор-эмиттер
PTOT - Максимальная общая рассеиваемая мощность