iGBT в Хабаровске
Из википедии:
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, англ. Insulated-gate bipolar transistor, IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Каскадное включение транзисторов двух типов позволяет сочетать их достоинства в одном приборе: выходные характеристики биполярного (большое допустимое рабочее напряжение и сопротивление открытого канала пропорционально току, а не квадрату тока, как у полевых) и входные характеристики полевого (минимальные затраты на управление). Управляющий электрод называется затвором, как у полевого транзистора, два других электрода — эмиттером и коллектором, как у биполярного.
Основные параметры IGBT транзисторов для подбора аналогов:
Vces - максимальное напряжение коллектор-эмиттер
Vce(sat) - напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Ic максимальный постоянный ток коллектора ( при Т = 25°)
Icp -Максимальный импульсный ток коллектора
VGE - Максимальное напряжение затвор-эмиттер
PTOT - Максимальная общая рассеиваемая мощность
Быстрый просмотр
|
IGBT транзистор GT45F122 (45F122)
Характеристики
|
185 руб./шт
-
+
В корзину
|
Быстрый просмотр
|
IGBT транзистор RJP30E2DPP-M0 (RJP30E2) - демонтаж
Характеристики
|
88 руб./шт
-
+
В корзину
|
Быстрый просмотр
|
IGBT транзистор GT30J127 (30J127) TO-220SIS
Характеристики
|
105 руб./шт
-
+
В корзину
|
Быстрый просмотр
|
IGBT транзистор GT30F126 (30F126) - демонтаж
Характеристики
|
53 руб./шт
-
+
В корзину
|
Быстрый просмотр
|
IGBT транзистор DG3C3020CL (DG302)
Характеристики
|
50 руб./шт
-
+
В корзину
|
Быстрый просмотр
|
IGBT транзистор GT30F131 (30F131)
Характеристики
|
56 руб./шт
-
+
В корзину
|
Быстрый просмотр
|
IGBT транзистор NGTB30N60FLWG (30N60FL) TO-247
Характеристики
|
96 руб./шт
-
+
В корзину
|
Быстрый просмотр
|
IGBT транзистор RJP30H1DPD (RJP30H1)
Характеристики
|
50 руб./шт
-
+
В корзину
|
Быстрый просмотр
|
IGBT транзистор STGW60V60DF (GW60V60DF) TO-247
Характеристики
|
550 руб./шт
-
+
В корзину
|
Быстрый просмотр
|
IGBT транзистор IHW20N120R3 (H20R1203)
Характеристики
|
140 руб./шт
-
+
В корзину
|
Быстрый просмотр
|
IGBT транзистор IHW15N120R3 (H15R1203) PG-TO-247-3-21 - демонтаж
Характеристики
|
220 руб./шт
-
+
В корзину
|
Быстрый просмотр
|
IGBT транзистор STGP8NC60KD (GP10NC60KD)
Характеристики
|
33 руб./шт
-
+
В корзину
|
Быстрый просмотр
|
IGBT транзистор FGD4536
Характеристики
|
46 руб./шт
-
+
В корзину
|
Быстрый просмотр
|
IGBT транзистор 1M50D-060A TO-3PML - демонтаж
Характеристики
|
220 руб./шт
-
+
В корзину
|
Быстрый просмотр
|
IGBT транзистор RJP63K2DPE (RJP63K2)
Характеристики
|
58 руб./шт
-
+
В корзину
|
Быстрый просмотр
|
IGBT транзистор IHW20N120R3 (H20R1203)
Характеристики
|
180 руб./шт
-
+
В корзину
|
Быстрый просмотр
|
IGBT транзистор IRG7R313UPbF (IRG7R313U) TO-252AA
Характеристики
|
85 руб./шт
-
+
В корзину
|
Быстрый просмотр
|
IGBT транзистор GT30J122 (30J122) - демонтаж
Характеристики
|
132 руб./шт
-
+
В корзину
|
Быстрый просмотр
|
IGBT транзистор RJP30H2A
Характеристики
|
96 руб./шт
-
+
В корзину
|
Быстрый просмотр
|
IGBT транзистор GT30J322 (30J322) - демонтаж
Характеристики
|
132 руб./шт
-
+
В корзину
|